特許

J-GLOBAL ID：200903007807295071

半導体発光素子

発明者： 安田 正治 ,  高倉 信之 ,  高見 茂成 ,  葛原 一功 ,  明田 孝典 ,  村井 章彦 ,  川西 英雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028266
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128726
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】フリップチップ接合により実装して半導体発光装置とするためのGaN系化合物半導体を用いた発光素子であって、該素子内部で発生する光をより有効に活用し得る半導体発光素子を提供する。【解決手段】透光性を有する支持基板の一方の面に、n層、発光層、p層が順次積層され、且つn型電極を前記n層上に形成するための凹部を有するGaN系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、前記凹部は、前記p層側を広い開口、前記n層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有し、該反射層は、絶縁膜を介して前記傾斜面に形成されてなるものであることを特徴とする半導体発光素子である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透光性を有する支持基板の一方の面に、n層、発光層、p層が順次積層され、かつn型電極を前記n層上に形成するための凹部を有するGaN系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、 前記凹部は、前記p層側を広い開口、前記n層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有し、 前記反射層は、絶縁膜を介して前記傾斜面に形成され、 前記凹部の形状が平面視で櫛型に形成されることにより、櫛型のp型電極と櫛型のn型電極を、互いに噛み込み状に構成されてなるものであることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-209182   出願人：豊田合成株式会社
• 特許第3187284号公報(特許請求の範囲など)
  
• 特許第3244010号公報(特許請求の範囲など)
  
• 特許第3269070号公報(特許請求の範囲など)
  

審査官引用 (3件)

• 白色発光ダイオ-ド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-223513   出願人：スタンレー電気株式会社
• 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-218241   出願人：オムロン株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036619   出願人：豊田合成株式会社