特許
J-GLOBAL ID:200903007807992589
熱処理モニタ素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-086120
公開番号(公開出願番号):特開2001-274213
出願日: 2000年03月27日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 熱処理装置によって処理される被処理品の温度管理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiO2に代表される絶縁膜の開口部を通じて、アモルファスシリコン、あるいはポリシリコンに代表されるような半導体と、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金に代表される金属とが接する構造を有する熱処理モニタ素子を作製する。この素子、あるいはこの素子を有する熱処理モニタ基板を熱処理装置によって実デバイスと同じ熱処理工程を通すことで、半導体と金属の拡散現象を生じせしめ、ガラス、あるいは石英基板の裏面観察により、その拡散の広がり量Lを評価する。これにより、実デバイスが工程内でどのような熱処理過程を経ているかが評価できる。またデバイスの基板面内均一性を評価することができる。さらに、熱処理装置の再現性、安定性といった性能評価にも使用できる。
請求項(抜粋):
絶縁膜の開口部を通じて半導体と金属とが接する構造を有する熱処理モニタ素子。
IPC (4件):
H01L 21/66
, G09F 9/30 338
, H01L 21/268
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L 21/66 Y
, G09F 9/30 338
, H01L 21/268 T
, H01L 29/78 624
Fターム (39件):
4M106AA07
, 4M106AA20
, 4M106AB01
, 4M106AB15
, 4M106AB16
, 4M106AB17
, 4M106AB20
, 4M106BA12
, 5C094AA03
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094AA53
, 5C094AA55
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094EB02
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F110AA24
, 5F110BB01
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110NN71
, 5F110NN80
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