特許

J-GLOBAL ID：200903007809712834

発光素子および自己走査型発光素子アレイチップ

発明者： 大野 誠治
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289519
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128175
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】チップ面積を増大させることなしに、光の取出し効率を大きくすることのできる自己走査型発光素子アレイチップを提供する。【解決手段】n型基板51上に、p型半導体層24,n型半導体層23,p型半導体層22,n型半導体層21が順に積層されている。n型半導体層21の上にはカソード電極36が形成され、エッチングにより一部露出されたp型半導体層22上にゲート電極37が形成され、エッチングにより一部露出されたp型半導体層24上に、短絡用の基板側共通電極38が形成されている。さらに、エッチングによって露出されたn型半導体基板51上に短絡用の基板表面共通電極52が形成されている。電極38と電極52は接続線60によって互いに接続されている。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に、前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型の第1の半導体層と、第1導電型の第2の半導体層と、第2導電型の第3の半導体層と、第1導電型の第4の半導体層とが順に積層された4層の半導体層よりなる発光サイリスタ構造と、 前記第4の半導体層上に形成された第1の電極と、 前記第3の半導体層上に形成された第2の電極と、 前記半導体基板の底面に設けられた第3の電極と、 前記半導体基板と前記第1の半導体層とを電気的に短絡する部材と、 を備える発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 J

Fターム (13件)：

5F041AA04 ,  5F041BB03 ,  5F041BB06 ,  5F041BB22 ,  5F041BB25 ,  5F041CA07 ,  5F041CA35 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CB22 ,  5F041DA82 ,  5F041DB07 ,  5F041FF13