特許

J-GLOBAL ID：200903007810259000

電子-機械式不揮発性メモリ及びその製造方法並びにメモリ読出回路

発明者： 山田 弘之 ,  渡辺 正恭
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225655
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062494
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高密度に製造でき、状態が大きな容量変化で記憶できる電子-機械式不揮発性メモリ、状態切り換え可能回数を増大できる製造方法及び状態を簡単に読み取ることのできるメモリ読取回路を提供することを目的としている。【構成】 薄膜ブリッジ13を封止するガラス蓋15の内面に薄膜ブリッジと対向して固定電極17を設ける。固定電極と薄膜ブリッジとに印加した電圧により、薄板ブリッジを上下側に湾曲させて状態を切り換える。(110)ウエハからなるSi基板11上に形成したエピタキシャル成長層の酸化膜と異方性エッチングを用いて薄膜ブリッジを形成している。薄膜ブリッジ及び固定電極間と薄膜ブリッジ及び基板間のキャパシタンスとを介して入力する交流信号のレベルの比較結果によって不揮発性メモリの状態を読み出す。

請求項（抜粋）：

酸化膜とその表面に形成した金属膜とからなる薄膜ブリッジの両端をスペーサを介してSi基板上に固定してなり、該薄膜ブリッジの上側または下側への湾曲による容量変化によって状態を記憶するようにした電子-機械式不揮発性メモリにおいて、前記薄膜ブリッジを封止するガラス蓋の内面に薄膜ブリッジと対向して固定電極を設け、該固定電極と前記薄膜ブリッジの金属層とに印加する電圧により、前記薄板ブリッジの上側または下側への湾曲状態を切り換え、前記薄膜ブリッジと前記基板及び前記固定電極との間のキャパシタンスによって薄膜ブリッジの状態を検出するようにしたことを特徴とする電子-機械式不揮発性メモリ。