特許

J-GLOBAL ID：200903007812385402

不揮発性メモリセル

発明者： 師岡 久雄 ,  篠原 久人 ,  池田 正明 ,  店村 悠爾 ,  長野 克人
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 南條 眞一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089983
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 大容量かつ充分な書き込み/読み出し速度を有し、強誘電体薄膜の自発分極が安定でかつ歪みあるいはクラックが入らない不揮発性メモリを得る。【構成】 不揮発性メモリセルを、絶縁基板上に形成された半導体層、半導体層表面に離間して形成されたソース領域及びドレイン領域、ソース領域及びドレイン領域上に各々形成されたソース電極及びドレイン電極、ソース電極上に形成された強誘電体薄膜、強誘電体薄膜上に形成された記憶電極、半導体層上のソース領域とドレイン領域との間の離間した部分の表面に形成されたゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極から構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された半導体層、該半導体層表面に離間して形成されたソース領域及びドレイン領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に各々形成されたソース電極及びドレイン電極、前記ソース電極上に形成された強誘電体薄膜、該強誘電体薄膜上に形成された記憶電極、前記半導体層上の前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の離間した部分の表面に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極からなることを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-232973
  
• 特開平3-187261
  
• 特開平1-268064
  
• 特開平3-035535