特許

J-GLOBAL ID：200903007813809818

半導体装置の接続構造の形成方法

発明者： 小宮 隆行 ,  神力 博 ,  竹安 伸行 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001864
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191070
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト抵抗が一層低減され、しかも上層配線層を形成するための金属材料の選択的堆積を均一に良好に行なうことができる半導体装置の接続構造の形成方法を提供する。【構成】 コンタクト孔を形成してTiシリコイド膜を露出させた後又はコンタクト孔の底部にTiシリサイド膜を形成した後、バッファード弗酸処理してTiシリサイド表面に形成された酸化膜を除去する。続いて、アンモニア過酸化水素混合液で処理し、コンタクトホールの内壁や層間絶縁膜上に付着した金属等の異物を除去する。その後コンタクト孔内に金属材料を選択的に堆積させて埋込プラグを形成し、さらに層間絶縁膜上に配線用の金属材料を堆積させる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の接続構造を形成するに際し、接続孔を有し、底部に高融点金属シリサイド膜が露出している絶縁膜を有する半導体基板をバッファード弗酸で処理し、さらに、アンモニア過酸化水素水混合液で処理した後、前記接続孔内に、化学気相成長法により金属材料を選択的に堆積させることにより埋込プラグを形成することを特徴とする半導体装置の接続構造の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/90 D