半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339571
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178178
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】パルスレーザで半導体膜を溶融させ、その後の結晶化時の凝固速度を遅くすることができるようにする。【解決手段】絶縁性基板1上に蓄熱層としての半導体膜3′を形成させ、トランジスタとなる半導体膜5′へのレーザ照射と同時に凹面レンズ6で反射したレーザのエネルギーで加熱させることによって半導体膜3′,5′が凝固するときの凝固速度を低下させる。半導体膜5′の温度が高くなりすぎないようにするかわりに蓄熱層としての半導体膜3’による効果によってレーザ照射1パルスあたりの活性化時間を長くする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に所定の形伏の蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜上に薄膜トランジスタの活性層を構成する半導体膜を形成する工程と、上方からパルスレーザー光を前記半導体膜に照射する工程とを有し、前記パルスレーザー光を前記半導体膜に照射する工程の際に前記絶縁性基板の後方にパルスレーザー光を反射するレーザー光反射手段を配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 626 C , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

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