特許
J-GLOBAL ID：200903007821957907
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162702
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013659
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 マルチチップ・モジュールの実装密度を向上させる。【構成】 金属化合物ガスの雰囲気中、基板1に搭載した複数の半導体チップ3の主面上にレーザビームを照射して金属層を析出させ、この金属層からなる配線7で半導体チップ3間を電気的に接続するマルチチップ・モジュールの製造方法である。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップを基板上に搭載した後、金属化合物ガスの雰囲気中で前記半導体チップの主面上にレーザビームを照射して前記金属化合物を分解し、前記レーザビームの照射箇所に金属層を析出させることによって、前記半導体チップ間を電気的に接続することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/538
, H01L 21/3205
H01L 23/52 A
, H01L 21/88 B
