特許

J-GLOBAL ID：200903007823832427

半導体ウエハの洗浄方法

発明者： 塩谷 真一
出願人/特許権者： 日鉄セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289006
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116806
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン面に残留した水分によってウォーターマークが生じるのを抑制すること。【解決手段】 シリコンウエハ1上に、酸化膜(SiO2)2,3がむきだしになっている部分が存在している。薬液処理としてフッ化水素(HF)水を塗布して酸化膜(SiO2)3の除去を行う。過酸化水素(H2O2)が1〜10%含む過酸化水素水を1〜20分程度シリコンウエハ1上に浸し、厚み10〜30Åの二酸化シリコン層4を生成させる。シリコンウエハ1上に薬液剤としての過酸化水素水を完全に除去する目的で、純水で洗浄を行う。純水で洗浄を終了した後には、二酸化シリコン層4間に水分5が付着している。水分5は、二酸化シリコン層4に対して親水性であるので、球状の水滴とはならず、薄く均一に付着している。上記水分5を除去するために、シリコンウエハ1を回転させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基盤に薬液処理して、シリコン面を局部的もしくは全面的に露出し、水洗洗浄を施す半導体ウエハの洗浄方法において、シリコン基盤上に薬液処理して、シリコン面を局部的もしくは全面的に露出した後に、過酸化水素水で処理を施し局部的もしくは全面的に露出したシリコン面に厚み10〜30Åの二酸化シリコン層を生成せしめ、その後に水洗洗浄を施すことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M