特許

J-GLOBAL ID：200903007826484047

半導体装置の製造方法および半導体製造装置並びに半導体レーザの製造方法

発明者： 杵築 弘隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205254
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 ECRプラズマエッチングとMOCVD成長を連続して行う工程において、清浄な加工界面を実現するための半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供するとともに、光学損傷を抑制でき、信頼性が高く製造コストの低減が可能な半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 レーザの発振端面部を開口するようにSiON膜がパターニングされたウエハを準備室6にセットし、高清浄水素雰囲気のウエハ搬送室10を経てECRプラズマエッチングチャンバー7へ導入し、レーザの発振端面を形成する。エッチング終了後引き続き窒化処理を施し、保護層となる表面窒化層4を形成する。窒化処理を施した後、ECRプラズマエッチングチャンバー7は水素パージにより大気圧復帰され、ウエハはウエハ搬送室10を経由してMOCVDチャンバー8に導入され、窓層であるAlGaAs層5の再成長が行われる。

請求項（抜粋）：

半導体層または絶縁層等が形成された半導体基板表面に真空チャンバ内でプラズマエッチングにより微細加工を施す第1の工程、上記第1の工程と同一真空チャンバ内において上記微細加工後の半導体基板表面に窒素プラズマを照射し、上記加工表面に窒化層を形成する第2の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 A