特許

J-GLOBAL ID：200903007828390783

ドライエッチング法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-219364
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111682
出願日： 1997年08月14日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】側壁保護膜を用いることなく、銅薄膜等の基体の異方性加工を良好に行い得るドライエッチング法を提供する。【解決手段】ドライエッチング法においては、エッチング装置のチャンバー内に配置された基体載置ステージ上に基体を載置し、基体の温度を200乃至300 ゚Cに保持した状態で、基体のドライエッチングを行う。基体載置ステージ10は、温度調節ジャケット11と静電チャック12から構成され、静電チャック12は、誘電体部材13、誘電体部材13の下側に配設された窒化アルミニウム板15、誘電体部材13と窒化アルミニウム板15との間に配設され、ロウ材にて形成された電極14、窒化アルミニウム板15の下側に配設されたヒータ16、並びに、窒化アルミニウム板15の下側に配設され、且つ、ヒータ16の上側及び/又は下側に配設された金属板17A,17Bから構成されていることが好ましい。

請求項（抜粋）：

エッチング装置のチャンバー内に配置された基体載置ステージ上に基体を載置し、基体の温度を200乃至300 ゚Cに保持した状態で、基体のドライエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/68 R