特許
J-GLOBAL ID：200903007828833812
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086754
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291332
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 LOC型の半導体装置において、金属細線同士の交差や不所望な接触を回避して装置の信頼性を向上させる。【構成】 半導体素子の最上層の絶縁膜2の上に、電源あるいは接地ラインとなる導電膜4を所定のボンディングパッド3に連なるように形成し、この導電膜4とリード5とをワイヤボンディングするように構成している。
請求項（抜粋）：
半導体素子上に、複数のリードを配置して前記半導体素子のボンディングパッドと前記リードとをワイヤボンディングして封止されてなる半導体装置において、前記半導体素子の最上層の絶縁膜上には、所定のボンディングパッドに連なる導電膜が形成され、該導電膜と所要のリードとがワイヤボンディングされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
