特許

J-GLOBAL ID：200903007829167182

伝熱構造体及び半導体装置

発明者： 中村 卓義 ,  齋藤 隆一 ,  丹波 昭浩 ,  内藤 孝 ,  山本 浩貴 ,  滑川 孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233856
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046041
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】従来のパワーモジュールでは、ガラス部の熱抵抗値が大きくなるため、半導体素子から周囲環境までのトータル熱抵抗値が大きくなり、半導体素子の温度が保証温度を大幅に越えてしまうとともに、応力に対して脆弱であるという課題がある。また、従来パワーモジュール構造は、信頼性が低く、耐圧が低くなるという問題が生じる。【解決手段】半導体素子の少なくとも一部(1006)を電気的絶縁物を介してヒートシンク用金属材(1008)に接合した半導体装置において、前記電気的絶縁物がビスマス系ガラス層(1007、2000、2001)である半導体装置。

請求項（抜粋）：

電気的絶縁物を介して半導体装置と放熱用金属材とを接合した半導体装置用の伝熱構造体において、前記電気的絶縁物がビスマス系ガラス層であることを特徴とする伝熱構造体。

Fターム (7件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC22 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD11