特許

J-GLOBAL ID：200903007831419164

オプトエレクトロニクス半導体装置、分布型ブラッグ反射器、及び偏光分布型ブラッグ反射器の製造方法

発明者： スティーブン ピーター ナジダ
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059646
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041590
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 分布型ブラッグ反射器(DBR)の高い直列抵抗により起こる問題が排除或いは減少させられたDBRを提供する【解決手段】 レーザ或いは発光ダイオード装置が、p-i-n構造3、4及び5と、異なる屈折率を有する層6a及び6bを交互に有する分布型ブラッグ反射器と、を含む。層6a及び6bは、導電性を有し且つ装置の発光波長において透明な、p型導電性ポリマ材料により形成される。

請求項（抜粋）：

光学的活性領域と、導電性ブラッグ反射器と、を備え、該ブラッグ反射器が、少なくとも部分的に、導電性を有するポリマ材料から形成されている、オプトエレクトロニクス半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  C08L101/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  C08L101/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241892   出願人：株式会社東芝