特許

J-GLOBAL ID：200903007833251210

半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者： 筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101443
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289321
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 液晶表示素子,センサーアレイ,RAM等に用いられる半導体装置を低コストで、かつ、性能と信頼性の高いものを得るとともにその製造装置を提供する。【解決手段】 真空中でホログラフィーを用いたレーザーアニールにより非晶質薄膜を多結晶化した後、真空を破らずに連続的にゲート絶縁層,ゲート金属の堆積を行う。あるいは、非晶質薄膜の堆積及びパターニングも真空中で行う。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上もしくは絶縁層を介した半導体基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体薄膜にホログラフィーを用いてレーザービームを照射して前記非単結晶半導体薄膜を選択的に結晶化もしくは再結晶化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 627 B