高周波スイッチ回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-358775
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164441
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 1つの半導体基板上に他の半導体回路と共に集積化した場合でも、高周波信号の透過損失の低減が可能な高周波スイッチ回路装置を提供する。【解決手段】高周波スイッチ回路装置は、p型シリコン基板100の上にスイッチング素子となるFET101を備えている。FET101は、n型ウェル122,ゲート電極124,ソース層125及びドレイン層126を有している。バックゲートとなるn型ウェル層122に接続されるn型ウェル配線129は、インダクタ103を介して電圧供給ノード112に接続されている。インダクタ103により、電圧供給ノードとn型ウェル層との間の高周波信号の流れを遮断し、n型ウェルとp型基板領域との間に広がる空乏層により縦方向における高周波信号の流れを遮断する。また、トレンチ分離絶縁層121により、横方向における高周波信号の流れを遮断する。

請求項（抜粋）：

p型基板領域を有する半導体基板と、上記p型基板領域に設けられ、ソース,ドレイン,ゲート及びn型ウェルを有する高周波スイッチング素子として機能するpチャネル型FETと、上記n型ウェルに接続され、上記n型ウェルに電圧を供給するための電圧供給ノードと、上記n型ウェルと電圧供給ノードとの間に設けられ、上記n型ウェルと上記電圧供給ノードとの間に流れる信号の高周波成分を分離するための高周波信号分離手段とを備えている高周波スイッチ回路装置。

IPC (9件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H03K 17/04 , H03K 17/687

FI (10件)：

H03K 17/04 E , H01L 27/06 102 A , H01L 21/76 L , H01L 21/76 M , H01L 21/76 Z , H01L 27/08 321 L , H01L 29/78 301 R , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 621 , H03K 17/687 G

Fターム (55件)：

5F032AA01 , 5F032AA35 , 5F032AB01 , 5F032AB05 , 5F032AC04 , 5F032BA01 , 5F032CA03 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032DA12 , 5F040DA01 , 5F040DB01 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EC17 , 5F040EC26 , 5F040EF01 , 5F040EK00 , 5F040EK05 , 5F040EM04 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BE02 , 5F048BE09 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG60 , 5F110NN61 , 5F110NN62 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5J055AX28 , 5J055BX05 , 5J055CX03 , 5J055DX17 , 5J055DX61 , 5J055EX07 , 5J055EX12 , 5J055EY05 , 5J055EY10 , 5J055EY21 , 5J055FX12 , 5J055GX01 , 5J055GX07 , 5J055GX08

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