半導体のエッチング液、調製方法及びエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044169
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 GaAs層とAlGaAs層との選択比が大きく、pHの経時変化が少なく、安定に量産することができ、密集した微細パターンをエッチングする場合においても十分にエッチングすることができる半導体のエッチング液、調製方法及びエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs層/AlGaAs層の積層構造におけるGaAs層をAlGaAs層に対して選択的にエッチングするための半導体のエッチング液であって、有機酸水溶液に塩基性水溶液を添加してpHを5.9以下に調整した後、過酸化水素水を混合することにより得られる半導体のエッチング液。

請求項（抜粋）：

GaAs層/AlGaAs層の積層構造におけるGaAs層をAlGaAs層に対して選択的にエッチングするための半導体のエッチング液であって、有機酸水溶液に塩基性水溶液を添加してpHを5.9〜5.0に調整した後、過酸化水素水を混合することにより得られる半導体のエッチング液。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/306 B , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 29/80 B

Fターム (24件)：

5F003AP04 , 5F003BA92 , 5F003BB02 , 5F003BB08 , 5F003BE02 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF05 , 5F003BH99 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP94 , 5F003BP96 , 5F043AA14 , 5F043BB07 , 5F043DD02 , 5F043GG04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (1件)

特表平7-503583

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