特許
J-GLOBAL ID：200903007846768203
半導体基板及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217992
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 貼り合わせ法によって高性能SOI基板を作製するにあたって、膜厚分布の良好な基板を生産性良く提供するとともに、貼り合わせ基板表面に微小なボイドが発生しても、このボイドが薄膜デバイスの形成になんら悪影響を与えない構造のSOI基板を提供すること。【構成】 シリコン単結晶基板100の全体を陽極化成により多孔質化する工程、該多孔質化した一表面101上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる工程、該エピタキシャル層102の表面を酸化する工程及び該酸化面103に堆積膜107を形成する工程とを経て得られる第1の基板の前記堆積膜を第2の基板110と密着させ、前記密着した基板に熱処理を施した後に多孔質シリコン部分を選択的にエッチングすることにより得られることを特徴とする半導体基板。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板の全体を陽極化成により多孔質化する工程、該多孔質化した一表面上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる工程、該エピタキシャル層の表面を酸化する工程及び、該酸化面に堆積膜を形成する工程とを経て得られる第1の基板の前記堆積膜を第2の基板と密着させ、前記密着した基板に熱処理を施した後に多孔質シリコン部分を選択的にエッチングすることにより得られることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 27/12
, H01L 21/02
