特許

J-GLOBAL ID：200903007848425486

半導体集積回路装置

発明者： 村山 公英 ,  飯田 哲也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281174
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129828
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 コストアップを伴わずに誘電率の大きい誘電体を用いることにより、半導体集積回路装置における容量素子の容量不足を解決することが可能な技術を提供する。【解決手段】 予め基板1に第1の配線8の材料の一部として形成したモリブデン膜13を利用して、これを酸化処理して得られた酸化モリブデン膜10を誘電体として用いる。そして、第1の配線8、誘電体10(酸化モリブデン膜)および第2の配線17によって容量素子22を構成する。酸化モリブデン(誘電率:6.25)は誘電体として、従来用いられている酸化シリコン(誘電率:2.1)、窒化シリコン(誘電率:4.0)などに比較して誘電率が大きいため、大きい容量値を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に能動素子および容量素子を含む複数の回路素子を形成する半導体集積回路装置であって、前記容量素子は、誘電体として酸化モリブデンを用いることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/90 A