特許
J-GLOBAL ID：200903007850214603
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279633
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121572
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法、特に、層間絶縁膜の形成方法に関し、耐クラック性が高くて厚膜化が可能であり、平坦性能力が高く、膜密度の高い絶縁膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に、式【化1】但し、Xは1〜3であり、Yは0または1であり、nは20〜25,000である。で示されるポリマーを塗布し焼成して層間絶縁膜を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、式【化1】但し、Xは1〜3であり、Yは0または1であり、nは20〜25,000である。で示されるポリマーを塗布し焼成して層間絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
