特許
J-GLOBAL ID：200903007853824275
酸化膜のための結晶成長リフトオフ方法およびその結果の構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-516927
公開番号（公開出願番号）：特表平9-506586
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】酸化膜を成長基板から分離するために、層状の酸化銅緩和材料を用いる方法。以下の工程を含む、自立した酸化膜の形成方法。:LaAlO3のような成長基板(10)の上に、高温超電導体YBCOのような酸化銅緩和材料(12)を形成する第1の工程と、上記酸化銅緩和材料の上に、酸化膜(14)を形成する第2の工程と、好ましくは、上記酸化膜(14)を上記基板(10)から分離するために、上記酸化銅緩和材料(12)をエッチングする第3の工程。上記酸化膜(14)は、強誘電体、または光材料、またはSrTiO3またはCeO2のような更なる高温超電導体の成長に整合した材料でも良い。
請求項（抜粋）：
(1) 成長基板上に層状の酸化銅緩和材料を形成する工程と、 (2) 上記緩和材料上に酸化膜を形成する工程と、 (3) 上記酸化膜を上記成長基板から分離するために、上記緩和材料をエッチングする工程と、を含む、酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/46 E
, B32B 9/00 A
