特許
J-GLOBAL ID:200903007855386283
FPCの導体回路形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-279904
公開番号(公開出願番号):特開平7-135385
出願日: 1993年11月09日
公開日(公表日): 1995年05月23日
要約:
【要約】【目的】 FPCの導体回路を、耐マイグレーション化およびファインライン化の向上が図られるように形成する。【構成】 ポリイミド等からなる基板11の表面にエキシマレーザ加工によって形成すべき導体回路12のパターンに応じた溝加工を施し、次いで、この溝加工部13を含む基板11の全表面にめっき処理によって導体層15を付与し、この後、導体層15に対してエッチング処理をすることにより溝加工部13を除く導体層15を除去し、溝加工部13のみに残る導体層15を導体回路12のパターンとして得る。
請求項(抜粋):
屈曲可能な絶縁性を有する基板(11)の表面に、レーザ加工によって形成すべき導体回路(12)のパターンに応じた溝加工を施し、次いで、この溝加工部(13)を含む基板(11)の全表面にめっき処理によって導体層(15)を付与し、この後、導体層(15)に対してエッチング処理をすることにより溝加工部(13)を除く導体層(15)を除去し、溝加工部(13)のみに残る導体層(15)を導体回路(12)のパターンとして得ることを特徴とするFPCの導体回路形成方法。
IPC (3件):
H05K 3/06
, H05K 3/00
, H05K 3/10
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