半導体素子の素子分離膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370478
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197731
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は半導体素子の素子分離膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、分離マスクパターンに従ってマスキング絶縁膜3と分離酸化膜2とを順に蝕刻する時、分離酸化膜2をシリコン基板1から数百Å以内の厚さを残して蝕刻することによって、シリコン基板1がプラズマにより損傷しないようにして素子の信頼性を向上させることができる。このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に分離酸化膜とマスク絶縁膜とを順に形成する段階と、前記マスク絶縁膜と前記分離酸化膜とを蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記トレンチ内にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の素子分離膜の形成方法。

Fターム (4件)：

5F032AA82 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA53

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭50-061190
特開昭59-084437
特開昭52-119875

全件表示

審査官引用 (4件)

特開昭50-061190
特開昭59-084437
特開昭52-119875

全件表示

前のページに戻る