特許
J-GLOBAL ID：200903007863201152
光起電力装置およびそれを用いた半導体スイッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-191216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039695
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】光電セル全体の静電容量を大きくすることなく光生成電流を増大する。【解決手段】半導体支持基板10と、この半導体支持基板10の一の面側に設けられる半導体活性層12とにより構成され、光源と対向配置される受光チップ1Aを光起電力装置に設けた。半導体活性層12には、光源からの光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電セル120が上記一の面に沿って複数形成されているとともに、これら複数の光電セル120を電気的に直列接続するアルミ配線121が半導体支持基板10側の面とは反対の面に設けられている。複数の光電セル120と対向する半導体支持基板10の領域には、他の面側で反射部材としてのフレーム21により閉塞される凹所100が掘り込み形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体支持基板と、この半導体支持基板の一の面側に設けられる半導体活性層とにより構成され、光源の光を受光する受光チップを備え、
前記半導体活性層には、前記光源からの光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電セルが前記一の面に沿って複数形成されているとともに、これら複数の光電セルを電気的に直列接続する配線が前記半導体支持基板側の面とは反対の面側に設けられ、
前記複数の光電セルと対向する前記半導体支持基板の領域には、他の面側に開口を有する凹所が掘り込み形成され、この凹所の開口側に反射面が形成されている
ことを特徴とする光起電力装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 H
, H01L31/12 D
5F051DA03
, 5F051DA09
, 5F051GA04
, 5F051GA20
, 5F089AB03
, 5F089AC04
, 5F089AC10
, 5F089AC11
, 5F089AC20
, 5F089AC24
, 5F089AC30
, 5F089CA12
, 5F089DA01
, 5F089DA05
, 5F089FA10
