特許

J-GLOBAL ID：200903007866034427

微細トレンチの埋め込み方法、微細電極の製造方法、微細ホールの埋め込み方法、及び微細金属配線の製造方法

発明者： 白石 靖
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255764
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 高アスペクト比の微細トレンチや微細ホールをバリアメタルで埋め込む。【構成】 半導体基板上に順次形成された絶縁膜2、3及び4に、絶縁膜2、3及び4を貫通するトレンチ或いはホールを形成し、トレンチ或いはホールの内部の絶縁膜3を選択的にサイドエッチングする。これにより、トレンチ或いはホールの上部に存在する絶縁膜4は、コリメータの役割をし、トレンチ或いはホール内に入射する金属スパッタ粒子の指向性を高め、金属膜5のトレンチ或いはホールへの段差被覆性を向上させる。したがって、微細ゲート開口部やコンタクトホールへの良好なバリアメタルの埋め込みが可能となる。この後、絶縁膜3は除去される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積する工程と、前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1、前記第2、及び前記第3の絶縁膜を貫通するトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内部の前記第2の絶縁膜を選択的にサイドエッチングする工程と、前記トレンチの内部に金属膜を堆積する工程と、第3の絶縁膜を除去する工程とを、含むことを特徴とする微細トレンチの埋め込み方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 D