特許

J-GLOBAL ID：200903007870020902

化合物半導体混晶の結晶成長方法および化合物半導体装置

発明者： 友村 好隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216101
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 非混和性に起因する結晶欠陥の発生を抑制し、高品質結晶を得る結晶成長方法、及びそれによる化合物半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 熱平衡状態において非混和領域の組成を有する化合物半導体混晶の結晶成長方法であって、前記化合物半導体混晶を結晶成長させる工程中に、前記化合物半導体混晶の結晶成長を中断し、前記化合物半導体混晶の構成元素からなり、熱平衡状態において混和領域の組成を有する、化合物半導体薄膜を結晶成長させる工程、を含んでなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

熱平衡状態において非混和領域の組成を有する化合物半導体混晶の結晶成長方法であって、前記化合物半導体混晶を結晶成長させる工程中に、前記化合物半導体混晶の結晶成長を中断し、前記化合物半導体混晶の構成元素からなり、熱平衡状態において混和領域の組成を有する、化合物半導体薄膜を結晶成長させる工程、を含んでなることを特徴とする化合物半導体混晶の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C

Fターム (40件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA66 ,  5F045AA05 ,  5F045AA16 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA65 ,  5F045DA67 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB07 ,  5F103DD05 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17 ,  5F103NN10 ,  5F103RR01 ,  5F103RR06