特許
J-GLOBAL ID：200903007876136619
容量性センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008226
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264579
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 冒頭に述べたような容量性センサにおいて、エッチングによるボンディング基台の加工処理によって当該ボンディング基台に起因する漂遊容量の大きさを正確にコントロールすることのできるような容量性センサを提供すること。【構成】 ボンディングワイヤの接続部のためにシリコン小板の一部がボンディング基台として構成されており、該ボンディング基台はエッチングによって加工処理されており、さらに該ボンディング基台とその下方に存在するシリコン小板との間の接触面は、当該ボンディング基台か又はその下方に存在するシリコン小板のエッチング加工処理によって定められるように構成する。
請求項（抜粋）：
例えば加速度、傾斜度又は回転レートを測定するための容量性センサであって、相互に重ねられ絶縁された少なくとも2つの導電性単結晶シリコン小板を有しており、該シリコン小板の少なくとも1つから可動電極が突出構成されており、該電極は少なくとも1つの他のシリコン小板と共にプレートコンデンサを形成しており、この場合少なくとも1つのシリコン小板が少なくとも1つのボンディングワイヤによって電気的に接続されており、さらにその上に存在するシリコン小板が接続部に亘って切欠きを有している、容量性センサにおいて、ボンディングワイヤ(4)の接続部のためにシリコン小板(1,2,3)の一部がボンディング基台(10〜15)として構成されており、該ボンディング基台(10〜15)はエッチングによって加工処理されており、さらに該ボンディング基台(10〜15)とその下方に存在するシリコン小板(1,2,3)との間の接触面は、当該ボンディング基台(10〜15)か又はその下方に存在するシリコン小板(1,2,3)のエッチング加工処理によって規定されることを特徴とする、容量性センサ。
IPC (2件)：
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