特許
J-GLOBAL ID:200903007880225634
銅含有デバイスのエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-188992
公開番号(公開出願番号):特開平8-046331
出願日: 1994年07月20日
公開日(公表日): 1996年02月16日
要約:
【要約】【目的】 特定のエッチング媒体を使用することにより、銅層のエッチングにより形成されるパターンにおける線幅がより簡単に維持される。このエッチング媒体は、多くのマルチチップモジュールに見られる、銅・チタン構造などの2重金属構造に対してとりわけ有用である。【構成】 詳しくは、このエッチング媒体にはフッ化水素酸水、塩化第二銅、およびさらに塩化物塩が含まれる。
請求項(抜粋):
金属の電気的相互接続を持つ基板を製造する方法において、前記の相互接続が第二の金属の上におかれた第一の金属からなり、前記のプロセスが前記の第二の金属からなる第二の層の上に置かれた、前記第一の金属からなる第一の層からなる領域をエッチングするステップを含有し、ここで前記の第一と第二の層が共にHF、塩化第二銅ならびに塩化物塩を含有する溶液を用いてエッチングされることを特徴とする、金属の電気的相互接続を持つ基板を製造する方法。
IPC (6件):
H05K 3/06
, C23F 1/18
, C23F 1/26
, H01L 21/306
, H01L 21/308
, H01L 21/3213
FI (2件):
H01L 21/306 F
, H01L 21/88 C
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