窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-208389
公開番号（公開出願番号）：特開2009-044006
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】ノーマリオフタイプの窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】このCAVETは、n+型GaN基板1と、この基板の主面1aに形成された開口部3を有する絶縁膜2と、窒化物半導体積層構造部4とを備えている。窒化物半導体積層構造部4は、その平行面7、+c軸側傾斜面8および-c軸側傾斜面9に平行な面を積層界面15として順に積層されたn-型GaN層5およびn-型GaN層5と格子定数の異なるn+型AlGaN層6を備えている。ゲート電極10は、-c軸側傾斜面9に対向して形成され、ソース電極11は、n+型AlGaN層6と電気的に接続されている。ドレイン電極は、n+型GaN基板1と電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非極性面または半極性面を主面とする導電性III族窒化物半導体からなる半導体基層と、前記半導体基層の主面に形成され、この主面の一部を露出させる開口部を有する絶縁層と、前記開口部から前記絶縁層上に至る領域に形成され、前記半導体基層の主面に平行な平行面、前記半導体基層の主面に対して傾斜した+c軸側の第1傾斜面および-c軸側の第2傾斜面を有しており、少なくとも格子定数の異なる2種のIII族窒化物半導体層を備える、窒化物半導体積層構造部と、前記第2傾斜面に対向して形成されたゲート電極と、前記III族窒化物半導体層に電気的に接続されるように配置されたソース電極と、前記半導体基層における主面と反対側の裏面上に形成されたドレイン電極と、を含む、窒化物半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L29/80 V , H01L29/80 H

Fターム (18件)：

5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR09 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15

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