特許
J-GLOBAL ID：200903007886580339

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

, 
堀内 茂美

堀内 茂美 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170908
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368271
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 耐久性に優れ、かつ安定した素子機能を有する、フリップチップタイプの発光素子を提供する。【解決手段】 フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p側電極表面及びn側電極表面にTi層を介してAu層を設ける。
請求項（抜粋）：
同一面側にp側電極及びn側電極が形成されるIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、p側電極表面にAuを含むp側電極膜が形成され、n側電極表面にAuを含むn側電極膜が形成されている、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
Fターム (13件)：
5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA47 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18
引用特許：
審査官引用 (10件)
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