特許
J-GLOBAL ID：200903007887627886
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304752
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150180
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 p型ウェルの濃度に起因するフォトダイオードの有効領域の低減を防止でき、かつ基板の深い位置で光電変換により発生したキャリアがフォトダイオードに流れ込むことを防止でき、感度向上と混色及び暗電流の低減をはかる。【解決手段】 p型シリコン基板31の表面にn型層からなるフォトダイオード33が二次元配置され、各々のフォトダイオード33に対して得られた信号電荷を読出す読出しトランジスタ,信号電荷を増幅して取り出す増幅トランジスタ,及び信号電荷を排出するリセットトランジスタが設けられた固体撮像装置において、基板31内にボロン(B)のイオン注入によるp型ウェル32を埋込み形成し、このp型ウェル32の不純物濃度が基板における不純物濃度と同等まで低下する基板表面側の境界35を、フォトダイオード33により形成される空乏層34の下端に一致させた。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に光電変換部が二次元配置され、各々の光電変換部に対して該光電変換部で得られた信号電荷を増幅して取り出す増幅トランジスタ,及び信号電荷を排出するリセットトランジスタが設けられた固体撮像装置において、前記基板内に基板表面から所定深さに不純物導入によるp型ウェルを埋込み形成し、このp型ウェルの不純物濃度が基板における不純物濃度と同等まで低下する基板表面側の基板表面からの深さを、前記光電変換部により形成される空乏層端の深さにほぼ一致させてなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H04N 5/335
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
, H01L 31/10 A
