特許
J-GLOBAL ID:200903007895403075

硬質炭素膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大島 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-023442
公開番号(公開出願番号):特開平8-193259
出願日: 1995年01月17日
公開日(公表日): 1996年07月30日
要約:
【要約】【目的】 硬度低下や剥離などの心配が無く、しかも基板の種類により、皮膜の密着性が変化せず安定した硬質炭素膜を得ることが可能な硬質炭素膜の形成方法を提供する。【構成】 基板上に硬質炭素膜を形成する際に熱的に安定な炭素、珪素、クロム及びモリブデンなどの水素化物を形成しない元素をイオン注入した後、硬質炭素膜をこの基板上に形成することにより、耐摩耗性、耐食性に優れた硬質炭素膜を、基板の種類によらず、高い密着強度で形成することができる。
請求項(抜粋):
基板上に硬質炭素膜を形成するための方法であって、熱的に安定な水素化物を形成しない元素をイオン注入した後、硬質炭素膜を前記基板上に形成することを特徴とする硬質炭素皮膜の形成方法。
IPC (2件):
C23C 14/02 ,  C23C 14/06
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-162757
  • 特開平2-250967
  • 特開平1-162757
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