特許

J-GLOBAL ID：200903007899619218

絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法

発明者： ジュアン・ブックソ ,  ディアン・ダウ ,  ビド・イルダーム ,  ズイ・ズォウ ,  トーマス・イー・ザークル
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163921
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330590
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 低い制御されたしきい値電圧、パンチスルー耐性、および良好なスイッチング特性を備えたIGFET構造を伝統的な技術で形成可能にする。【解決手段】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)構造10は不純物ウエル13に形成されたソース領域14およびドレイン領域16を有する。チャネル領域18はソース領域14をドレイン領域16から分離する。1つの実施形態では、ユニラテラル延長領域17がソース領域14のみに隣接して形成されかつチャネル領域18内に延在する。ユニラテラル延長領域17はパンチスルー耐性を提供するためある深さ23およびある横方向距離24にピークドーパント濃度を有する。IGFET構造10は低い(すなわち、0.2〜0.3ボルト)から中間の(0.5〜0.6ボルト)しきい値電圧の短チャネル長の用途に適している。

請求項（抜粋）：

パンチスルー耐性のためにソース側にのみユニラテラルドープ領域を有するIGFET装置であって、主面(12)を有する半導体基板(11)、前記主面(12)から前記半導体基板(11)内に延在する第1の導電型の不純物ウエル(13)、前記不純物ウエル(13)内に形成された第2の導電型のソース領域(14)、前記不純物ウエル(13)内に形成されかつ前記ソース領域(14)からある距離だけ離間しチャネル領域(18)を提供する第2の導電型を有するドレイン領域(16)、前記チャネル領域の上の前記主面上に形成されたゲート誘電体層(21)、前記ゲート誘電体層(21)の上に形成され前記ソース領域(14)に隣接する第1のエッジを有するゲート層(19)、そして前記ソース領域(14)と隣接しかつ前記チャネル領域(18)内に延在する第1の導電型のユニラテラルドープ領域(17)であって、該ユニラテラルドープ領域(17)は前記主面(12)から第1の深さ(23)においてかつ前記第1のエッジから第1の横方向距離(24)においてピークドーパント濃度を有し、前記ユニラテラルドープ領域(17)はパンチスルー耐性を提供するもの、を具備することを特徴とするパンチスルー耐性のためにソース側にのみユニラテラルドープ領域を有するIGFET装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 29/78 301 P