特許
J-GLOBAL ID：200903007899667220
薄膜作製方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-287068
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】薄膜を作製すべき基板と強磁性材料金属元素を含有するターゲットの間の空間、あるいは基板の近く、あるいはターゲットの近くの位置に、微粒子を吸引するための磁界を印加する。【解決手段】レーザ光を強磁性材料金属元素を含有するターゲットに照射し、上記ターゲットをアブレーションさせて発生する粒子により薄膜を形成する薄膜作製方法において、上記薄膜を作製すべき基板と上記ターゲットの間の空間、あるいは上記基板の近く、あるいはターゲットの近くの位置に、磁界を印加した。
請求項（抜粋）：
レーザ光を強磁性材料金属元素を含有するターゲットに照射し、上記ターゲットをアブレーションさせて発生する粒子により薄膜を形成する薄膜作製方法において、上記薄膜を作製すべき基板と上記ターゲットの間の空間、あるいは上記基板の近く、あるいはターゲットの近くの位置に、磁界を印加したことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/28
, C23C 14/35 C
