特許
J-GLOBAL ID：200903007902629300
二次イオン質量分析装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227889
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096739
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 試料の最表面からの真の濃度分布を測定できる二次イオン質量分析法を提供する。【構成】 真空排気された試料室30内に、試料3とともに試料と同質又は同一のスパッタ率を有するターゲット19を保持し、一次イオンビーム20を偏向手段18で偏向してターゲットをスパッタし、試料3の表面に一次イオン注入飛程の2倍以上の厚さの薄膜を形成する(a)。その後、試料室内で薄膜側から試料に一次イオンを照射し、試料から放出される二次イオンを質量分析する(b)。
請求項（抜粋）：
一次イオンビーム照射手段と、真空排気される試料室と、試料室内に配置された試料支持手段と、試料から放出された二次イオンを引き出す二次イオン引出し電極と、二次イオン引出し電極によって引き出された二次イオンを分離する二次イオン光学系と、二次イオン光学系で分離された二次イオンを検出するイオン検出手段とを含む二次イオン質量分析装置において、試料室は、ターゲット支持手段を備え、試料支持手段に支持した試料表面に試料と同質又は同一のスパッタ率を有するターゲット材料の薄膜を生成する機能を有することを特徴とする二次イオン質量分析装置。
IPC (4件)：
H01J 37/252
, G01N 23/225
, H01J 49/26
, G01N 27/62
