特許
J-GLOBAL ID：200903007905630393
電力用半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102699
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311685
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】2個組IGBTモジュールの組立構造を改良し、小型,コンパクト化と併せて、内部の配線インダクタンスを低減して動作特性の向上を図る。【解決手段】絶縁基板の銅回路パターンに二組のIGBT2,3およびFWD4,5を搭載し、IGBT2と3をを直列に配線した上で、入力端子6,7および出力端子8を引き出した組立構造になる電力用半導体装置において、絶縁基板を二枚の絶縁基板1Aと1Bに分け、各基板に振り分けてIGBT2,3、FWD4,5、および配線用リードフレーム11〜14を上下に積層して実装した上で、絶縁基板1Aと1Bを上下向かい合わせに並べて近接配置し、かつ入,出力端子を通じて各絶縁基板の銅回路パターンおよびリードフレームに流れる電流が逆向きとなるように絶縁基板の間をコ字形の出力端子8を介して接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電力変換装置に適用する電力用半導体装置であって、絶縁基板の銅回路パターン上に二組のパワー半導体チップおよび該パワー半導体チップに逆並列接続するダイオードチップを搭載し、かつ前記パワー半導体チップの間を直列に配線した上で、銅回路パターンから入力端子および出力端子を引き出したものにおいて、
前記の絶縁基板を二枚に分けて各絶縁基板に一組のパワー半導体チップ,ダイオードチップ,および配線用リードフレームを上下に積層して実装した上で、双方の絶縁基板を上下向かい合わせに重ねて近接配置し、かつ入,出力端子を通じて各絶縁基板の銅回路パターンおよびリードフレームに流れる電流が逆向きとなるように絶縁基板の間を接続したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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