特許

J-GLOBAL ID：200903007905970003

半田ワイヤ及び半田バンプ電極

発明者： 有川 孝俊 ,  小柏 俊典 ,  村井 博
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176916
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045940
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】ICチップAl電極上の半田バンプをリフロー処理するに際して、Al電極上に別工程で皮膜形成を行う工程を省略し、且つ350°Cでリフロー処理を行っても接合強度の劣化が小さい半田バンプ電極を提供する。【構成】Cu(0.01〜5.0重量%),Ni(0.01〜5.0重量%),Zn(0.01〜5.0重量%)から選ばれる2種以上、及び0.001〜1.0重量%Tiを含有し、残部がSn又はPb-Snである半田ワイヤを用いて、ICチップ1のAl電極2上に半田バンプ3を形成し、この半田バンプ3を介してICチップ1と基板4の電極2,5を接合した。この時、半田バンプ3を350°Cでリフロー処理して電極2,5間の位置ずれを修正し、ICチップ1と基板4の接合不良を防止する。半田バンプ3はリフロー処理を行っても剪断強度の劣化を低く抑えることが出来、実用可能な剪断強度を得ることが出来た。

請求項（抜粋）：

半田材料の組成が下記〔組成I〕であることを特徴とするICチップバンプ電極用半田ワイヤ。〔組成I〕Cu(0.01〜5.0重量%),Ni(0.01〜5.0重量%),Zn(0.01〜5.0重量%)から選ばれる2種以上、及び0.001〜1.0重量%Tiを含有し、残部がSn又はPb-Snである。

FI (3件)：

H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 603 F ,  H01L 21/92 604 J