特許

J-GLOBAL ID：200903007907661989

薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 竹島 裕
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134061
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330186
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】Pb(Mg1-x Nbx )O3 系などの少なくともPb、Mg及びNbの酸化物を含みペロブスカイト構造を有する、高誘電率のセラミック薄膜を誘電体とした薄膜コンデンサ、及びその製造方法を提供する。【構成】基板31上に第1の電極32、誘電体セラミック膜34、第2の電極35が順次形成された薄膜コンデンサにおいて、少なくとも第1の電極32と誘電体セラミック34膜との間に導電性酸化物膜33が形成されている。そして、誘電体セラミック膜はPb(Mg1-x Nbx )O3 、導電性酸化物膜はSrTiO3-x が好ましく、ともに、CVD法で形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極、誘電体セラミック膜、第2の電極が順次形成された薄膜コンデンサにおいて、少なくとも第1の電極と誘電体セラミック膜との間に導電性酸化物膜が形成されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/12 394

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12 394