エピタキシャル層の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287522
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102315
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】シリコンおよびIII族元素の窒素化合物を選択的に結晶成長させるにあたり、これらエピタキシャル層を低温で形成することのできる、エピタキシャル層の形成方法の提供が望まれている。【解決手段】基板1上に、基板1表面を露出させる開口部3を有した第1のマスク2を形成し、その後、第1のマスク2の開口部3内にて露出した基板1表面上に、触媒CVD法により選択的にシリコンを結晶成長させてシリコンエピタキシャル層4を形成する工程と、基板1上に、基板1表面を露出させる開口部6を有した第2のマスク5を形成し、その後、第2のマスク5の開口部6内にて露出した基板1表面上に、触媒CVD法により選択的に窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層7を形成する工程と、を備えたエピタキシャル層の形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上に、該基板表面を露出させる開口部を有した第1のマスクを形成し、その後、該第1のマスクの開口部内にて露出した前記基板表面上に、触媒CVD法により選択的にシリコンを結晶成長させてシリコンエピタキシャル層を形成する工程と、前記基板上に、該基板表面を露出させる開口部を有した第2のマスクを形成し、その後、該第2のマスクの開口部内にて露出した前記基板表面上に、触媒CVD法により選択的にIII族元素の窒素化合物を結晶成長させてIII族元素の窒素化合物エピタキシャル層を形成する工程と、を備えてなることを特徴とするエピタキシャル層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

Fターム (34件)：

5F041AA31 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F045AB02 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA09 , 5F045DB02 , 5F045DP05 , 5F045EE04 , 5F045EG03 , 5F045EK07 , 5F045HA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-214738 出願人：日本電気株式会社
III-V族化合物半導体の気相エピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-091484 出願人：株式会社豊田中央研究所
III族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-206360 出願人：シャープ株式会社

前のページに戻る