ショットキーバリア半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278433
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116072
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】小さい逆方向リーク電流を維持し、順方向立ち上がり電圧を低くしたショットキーバリアダイオードを提供する。【構成】半導体基板2上面に、断面略台形状をした突起部4を多数縞状に設ける。突起部4の平坦な頂面5には、バリアハイトの低い第1のショットキー金属膜8を形成する。第1のショットキー金属膜8の上から半導体基板2の上面全体にバリアハイトの高い第2のショットキー金属膜9を形成し、ショットキー電極10を形成する。【効果】順方向印加電圧により第1のショットキー金属膜による空乏層が消失し、第1のショットキー金属膜からオーミック電極へ流れる電流通路が確保される。また、逆方向印加電圧により第2のショットキー金属膜による空乏層がショットキー電極の全体へ広がり、電流通路が遮断され逆方向の耐圧が大きくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に突起部を形成し、少なくとも前記突起部の頂面にショットキー障壁の低い第1のショットキー金属領域を設けると共に前記第1のショットキー金属領域の両側若しくは周囲にショットキー障壁の高い第2のショットキー金属領域を設けて、半導体基板表面にショットキー電極を形成したことを特徴とするショットキーバリア半導体装置。

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