特許

J-GLOBAL ID：200903007915376452

Bi系強誘電体薄膜及びその形成方法

発明者： 厚木 勉 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310815
公開番号（公開出願番号）：特開平9-142845
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 高温プロセスを必要とすることなく、残留分極値が大きく、膜疲労がない良好なBi系誘電体薄膜を提供する。【解決手段】 厚さ5〜50nmのBi2 (Tam Nb1-m )2 O8 (0≦m≦1)下地層上に、[{Sr1-n (Pb及び/又はBa)n }X Bi1-X ]Bi2(TaY Nb1-Y )2 OZ (0≦n≦0.3,0.4≦X≦1,0≦Y≦1)主層を形成する。【効果】 下地層がバッファー層として作用し、成膜前の熱処理を必要とすることなく、成膜乾燥後の仮焼成ないし結晶化温度を800°Cもの高温にすることなく、700°C程度の焼成で、十分に高い残留分極を得ることが可能となる。基板に熱的な影響を及ぼすことなく、強誘電性で残留分極が大きく膜疲労の少ない強誘電体薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

組成がBi2 (Tam Nb1-m )2 O8 (ただし、0≦m≦1)で表される、厚さ5〜50nmの下地層と、該下地層上に形成された、組成が(SrX Bi1-X )Bi2 (TaY Nb1-Y )2 OZ (ただし、0.4≦X≦1,0≦Y≦1,Zは各金属元素に付随した酸素の数の合計)で表される主層とを備えてなるBi系強誘電体薄膜。

IPC (4件)：

C01G 33/00 ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (4件)：

C01G 33/00 A ,  H01B 3/12 318 Z ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D