特許
J-GLOBAL ID：200903007915397913
電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055752
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 高品位画像形成装置を実現し得る電子ビーム源としての電子放出素子を提供する。【解決手段】 素子電極2,3間に形成した導電性膜4に通電して亀裂を形成した後、導電性膜4の状態を検知しながら、その一部を熱処理または水素還元処理によって高抵抗化し、さらに有機物質を含む雰囲気下で導電性膜4に通電処理を施すことを特徴とする。【効果】 亀裂領域の切れ残り部分を除去でき、駆動時の消費電力を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された一対の素子電極間に、電子放出部を有する導電性膜を備える電子放出素子の製造方法において、前記導電性膜に電子放出部を形成する工程が、該導電性膜に通電処理により亀裂を形成する工程と、該導電性膜の状態を検知しながら、該導電性膜の一部を高抵抗化する工程と、有機物質を含む雰囲気下で該導電性膜に通電処理を施す活性化工程とを含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
