特許

J-GLOBAL ID：200903007916164637

ドライエッチング方法

発明者： 武内 英樹
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197829
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021025
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 被加工材料に与えるダメージを軽減することができ、しかもエッチングを容易に制御できるドライエッチング方法を提供する。【構成】 ガス導入管14からベルジャ12内にガスCF4 を送り込み、フィラメント22を加熱してガスCF4 を熱分解することにより中性のラジカルF* を生成する。放射温度計24はフィラメント22の温度を常時検出し、この検出した温度情報に基づいて温度コントローラ26はフィラメント22に通電する電流量を調整し、フィラメント22の温度を制御する。シリコンウエハは、ラジカルF* と反応し、揮発性の高いSiF4 を生成してエッチングされる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを用いてラジカルを生成して被加工材料をエッチングするドライエッチング方法において、加熱手段により前記反応性ガスを加熱して熱分解することにより前記ラジカルを生成することを特徴とするドライエッチング方法。