特許

J-GLOBAL ID：200903007917766088

酸化物超電導導体およびその製造方法

発明者： 青木 伸哉 ,  山口 太一 ,  香川 昭 ,  朝霧 秀雄 ,  河野 宰 ,  長屋 重夫 ,  井上 俊夫
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282931
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】 基材とこの基材の成膜面上に形成された多結晶薄膜とこの多結晶薄膜上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、多結晶薄膜と酸化物超電導層との間に、貴金属からなる安定金属層を介在させるとともに、酸化物超電導層の結晶粒子のc軸を該層の厚さ方向に沿って配向させた酸化物超電導導体。【効果】 酸化物超電導層の結晶軸の配向性が揃えられ、そのc軸が成膜面と直角に向いて並び、成膜面に沿う方向に電流が流れ易いa軸またはb軸が向いた構造となり、臨界電流密度(Jc)が向上する。

請求項（抜粋）：

基材とこの基材の成膜面上に形成された多結晶薄膜とこの多結晶薄膜上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記多結晶薄膜と酸化物超電導層との間に、貴金属からなる安定金属層を介在させるとともに、酸化物超電導層の結晶粒子のc軸を該層の厚さ方向に沿って配向させてなることを特徴とする酸化物超電導導体。

IPC (4件)：

H01B 12/06 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-150147
  
• 特開平3-253421
  
• 特開平1-252534