特許

J-GLOBAL ID：200903007925411221

半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置

発明者： 愛清 武
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133736
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】高出力半導体レーザ素子端面における光化学反応による有機物付着を防止するため、パッケージの清浄度を安定にかつ非常に良好に保つ方法を提供する。【解決手段】気密封止装置のチャンバ内に酸素を導入し該チャンバ内で半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに紫外線を照射する第一の工程と、該チャンバを不活性ガスでパージしパッケージを外気に曝すことなく該不活性ガス雰囲気で気密封止する第二の工程からなる。

請求項（抜粋）：

気密封止装置のチャンバ内に酸素を導入し該チャンバ内で半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに紫外線を照射する第一の工程と、該チャンバを不活性ガスでパージしパッケージを外気に曝すことなく該不活性ガス雰囲気で気密封止する第二の工程からなることを特徴とする半導体レーザ素子の気密封止方法。

IPC (2件)：

H01L 23/02 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 23/02 Z ,  H01S 3/18 612

Fターム (5件)：

5F073AB28 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073FA07 ,  5F073FA25