特許

J-GLOBAL ID：200903007933617050

レジストパターンの形成方法

発明者： 池田 隆洋 ,  大西 廉伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332734
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191467
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストによる微細パターンの形成プロセスにおいて、下地基板の影響を低減し、良好な形状のレジストパターンを得ると共に現像時のパターン剥がれを防止する。【構成】 DCスパッタ法によりカーボン膜4を堆積させたシリコン基板3上に、芳香環を有する化合物を含む溶液を液盛りし、313nmの波長の光を含む紫外光6で全面照射する。その後ポジ型化学増幅型レジスト7を1μm塗布し、95°Cで90秒間ホットプレート上で加熱した後フォトマスク9を介してKrFエキシマ光をパターン露光し、さらに95°C、90秒間の露光後ベークを行なうことにより感光反応を進行せしめた後、90秒間のアルカリ水溶液による現像を行ない、レジストパターン1を形成する。

請求項（抜粋）：

カルボキシル基を有する被加工層が表面に形成された基板に対して、該カルボキシル基の酸としての性質を失活化せしめる化合物を接触させる工程と、前記被加工層上に感放射線層を形成する工程と、該感放射線層に放射線を所望のパターンで照射する工程と、前記感放射線層を現像処理する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 563