特許
J-GLOBAL ID:200903007934288262

ガス処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-183216
公開番号(公開出願番号):特開平6-005552
出願日: 1992年06月17日
公開日(公表日): 1994年01月14日
要約:
【要約】【目的】 反応管内に配置された例えば半導体ウエハを、加熱した状態でプラズマにより処理するにあたって、速やかに加熱、降温を行ってスループットの向上を図ること。【構成】 エッチトンネルを備えた二重構造の反応管内に、ウエハボートをロード、アンロード可能に位置させると共に、石英管7b内に抵抗発熱線7aを収納した4本の棒状ヒータ71〜74を反応管1の円周方向に90度ずつ離間した位置にて各々反応管1の長さ方向に伸びるように設ける。互に対向する棒状ヒータ71、73については上下に発熱部7cを形成するとと共に他の棒状ヒータ72、74については下部に発熱部7cを形成し、反応管1の長さ方向の温度分布の均一化を図る。
請求項(抜粋):
反応管内に配置された被処理体を、反応管内を加熱した状態で処理ガスにより処理する装置において、反応管内に、当該反応管の長さ方向に沿って伸びる棒状ヒータを設けたことを特徴とするガス処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/302 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-177890
  • 特開昭62-170481

前のページに戻る