特許

J-GLOBAL ID：200903007938722668

光変調器の製造方法

発明者： 松本 清人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232416
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 広帯域な光変調器を容易に実現する製造方法を提供する。【構成】 LiNbO3 基板11は水平方向に移動可能なステージ4に、電極14を形成した面を下にして固定されている。LiNbO3 基板11の上には、幅1〜3mm、長さ20〜40mm程度の開口部を有する金属製マスク2が固定されているが、KrFエキシマレーザを、パルス繰り返し周波数100〜200Hzで発振させ、ステージ4を直線上を往復させながら、集光レンズ3によりLiNbO3 基板11に照射することにより、金属製マスク2の開口部分に深さ500〜700μm 程度の溝をアブレーションにより形成する。

請求項（抜粋）：

ニオブ酸リチウム(LiNbO3 )結晶からなる導波路基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路の近傍に形成された変調用の電極と、前記LiNbO3 基板を局部的に薄くするために前記LiNbO3 基板の光導波路形成部裏側に形成された溝とを有する光変調器の製造方法において、前記溝の形成にエキシマレーザを用いており、溝加工部分を限定するための開口部を有する金属製マスクがレーザ光の光路途中に挿入され、もしくはLiNbO3 基板の表面に設置され、もしくはLiNbO3 基板表面に直接形成されており、該LiNbO3 基板を固定したステージを固定したまま、もしくは移動させながら、レーザ光を集光レンズにより前記LiNbO3 基板に縮小投影し、アブレーションにより前記溝を形成し、光導波路形成部全体にわたりLiNbO3 層を薄くする工程を有することを特徴とする光変調器の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12