特許
J-GLOBAL ID：200903007941041426
窒化ガリウム系III-V族化合物半導体の気相成長装置並びに窒化ガリウム系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074202
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 高品質な窒化ガリウム系III-V族化合物半導体を成長しうる有機金属気相成長装置、および、その装置を用いた窒化ガリウム系III-V族化合物半導体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化ガリウム系III-V族化合物半導体を成長する有機金属気相成長装置において、基板に対して原料ガス流の上流側の位置で、原料ガスが混合されている状態の位置に気相温度を制御するための第1の加熱部を有し、且つ、基板を加熱するための第2の加熱部とを有する有機金属気相成長装置により、高品質な窒化ガリウム系III-V族化合物半導体を成長することができる。
請求項（抜粋）：
III族元素を含む有機金属化合物と、V族元素を含む水素化物または有機金属化合物を原料ガスとして用いた、窒化ガリウム系III-V族化合物半導体の気相成長装置において、原料ガスを混合する領域と基板を装着する領域があり、該原料ガスを混合する領域と、該基板を装着する領域との間に第1の加熱部があり、該基板を装着する領域に第2の加熱部があり、該第1の加熱部の設定温度が該第2の加熱部の設定温度より低いことを特徴とする窒化ガリウム系III-V族化合物半導体の気相成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/18
, C23C 16/34
, C30B 25/10
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C23C 16/18
, C23C 16/34
, C30B 25/10
, H01L 33/00 C
