特許

J-GLOBAL ID：200903007942523203

赤外線検知素子

発明者： 江部 広治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210393
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064385
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 赤外線検知素子に関し、半導体基板とHgCdTe半導体層間に、半導体基板及びHgCdTe半導体層の各格子定数の間の格子定数をもち、且つ、(111)A面を主面とするバッファ層を介挿することが基本になっている。【解決手段】 格子定数がHgCdTeに比較して小さい材料、例えばSi半導体基板1(或いはGaAs基板など)上にHgCdTe光電変換層3を形成するに際して、Si半導体基板1とHgCdTe光電変換層3と間に主面の面指数が(111)Aであり且つZn組成が4〔%〕以上であるCdZnTeバッファ層2を介挿することでHgCdTe光電変換層3を良質なものとする。

請求項（抜粋）：

格子定数がHgCdTeに比較して小さい材料からなる半導体基板と、前記半導体基板上に積層形成され主面の面指数が(111)Aであり且つZn組成が4〔%〕以上であるCdZnTeバッファ層と、前記バッファ層上に積層形成されたHgCdTe光電変換層とを備えてなることを特徴とする赤外線検知素子。

IPC (2件)：

H01L 31/0264 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/08 N ,  H01L 31/10 A